机译:新型InAs / Si异质结双栅极隧道场效应晶体管的器件和电路级性能分析
机译:基于过渡金属硫族化物单层的异质结隧穿场效应晶体管的器件性能
机译:界面电荷对MG_2SI源异质结双栅极隧道场效应晶体管的模拟和RF性能的影响
机译:使用双栅极结构研究和抑制多层phosphor隧道效应晶体管的双极性效应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:高性能漏极工程InGaN异质结构隧道场效应晶体管
机译:边缘状态对磷光体器件性能的影响 异质结隧穿场效应晶体管
机译:渐变层和隧道效应对alGaas / Gaas异质结双极晶体管性能的影响